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碳化硅MOSFET取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？在现代电力电子领域，器件的选择对于系统性能至关重要。650V SiC（碳化硅）MOSFET作为一种新型的功率半导体器件，正在逐步取代传统的超结MOSFET和GaN（氮化镓）器件。这一现象背后，蕴含着材料科学、电子工程和电力电子技术的深刻变革。本文将从多个维度深入探讨650V SiC MOSFET为何能够成为超结MOSFET和GaN器件的有力竞争者。首先，从材料特性上看，SiC具有显
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2025-01-24 |
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杨茜SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块
倾佳电子荣获基本半导体2024年度市场拓展进步奖这一荣誉是对倾佳电子在市场拓展方面所取得成就的认可。倾佳电子作为专业功率半导体（包括SiC碳化硅MOSFET单管、SiC碳化硅MOSFET模块、SiC碳化硅MOSFET驱动IC、氮化镓GaN）以及新能源汽车连接器的分销商，一直致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商，并积极推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中的全面取代IGBT模块,以实现中国电力电子的自主可控和产业升级。此次获奖不仅体现
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2025-01-11 |
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逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！
为什么在逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆变焊机！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT逆变焊机，实现更高的逆变焊机焊接质量，更小的逆变焊机体积重量！更低的逆变焊机成本！随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显
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2024-06-12 |
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在风电变流器中SiC碳化硅MOSFET模块会替代IGBT模块
为什么在风电变流器中SiC碳化硅MOSFET模块会替代IGBT模块！使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模块打造全SiC碳化硅风电变流器！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模块升级传统IGBT模块风电变流器，实现更高的风电变流器效率，更小的风电变流器体积重量！更低的风电变流器成本！随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者
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2024-06-12 |
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SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N
基本™（BASiC Semiconductor）PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子（Changer Tech）专业分销PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N适用于液冷充电桩电源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅
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2024-01-12 |
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功率器件BASiC基本碳化硅(SiC)MOSFET一级代理商
倾佳电子专业分销BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本碳化硅MOSFET模块，BASiC基本单管IGBT，BASiC基本IGBT模块，BASiC基本三电平IGBT模块，BASiC基本I型三电平IGBT模块，BASiC基本T型三电平IGBT模块，BASiC基本混合SiC-IGBT单管，BASiC基本混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本混合SiC-IGBT三电平模块应用
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2023-12-02 |
新闻中心