中文同义词:磷化铟晶体INP;磷化铟(III);磷化铟,99.9999%(metaLSBASIS);磷化铟,多晶块,99.99%(metaLSBASIS);磷化铟,99.999%(metaLSBASIS);磷化铟,多晶块;磷化铟(III),99.9999%(metaLSBASIS);磷化铟粉
英文同义词:InP;metelbasisINDIUMPHOSPHIDE;INDIUM(III)PHOSPHIDE;Phosphinetriylindium(III);Phosphinidyneindium(III);Indiumphosphide/99.999%;Indiumphosphide(99.999%-In)PURATREM;Indiumphosphidewafer
EINECS号:244-959-5
磷化铟性质
熔点1070°C
密度4,787g/cm3
形态pieces
颜色Black
水溶解性Insoluble in water.
晶体结构Cubic,Sphalerite Structure-Space Group F(-4)3m
化学性质
磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/V?s。空穴迁移率：约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。
磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。
类别
有毒物品
可燃性危险特性
高热产生有毒磷氧化物烟雾
储运特性
库房通风低温干燥
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
职业标准
TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米
危险品标志 T
安全说明 24/25-45-53
危险品运输编号 3288
WGK Germany 3
RTECS号NL1800000
TSCA Yes
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。
用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。
